浙江华辰芯光宣布完成 A++ 轮超亿元融资，由同创伟业领投。其核心的 1000mW 974nm/976nm 泵浦激光芯片已通过内部测试，光电性能对标美国同级产品，制造成本仅为国外一半，计划 2026 年下半年量产，切入 AI 数据中心 DCI 与骨干网信号放大市场。
泵浦激光芯片是光通信网络中信号放大器的核心光源。没有它，长距离光纤传输的信号会衰减到无法识别。华辰芯光这款 1000mW 974nm/976nm 芯片，直接面向几大关键场景：
这些场景的共同特点是对可靠性要求极高——海底光缆维修成本动辄千万级，卫星发射后无法更换，AI 数据中心宕机一分钟损失百万。这也解释了为什么华辰芯光本轮融资的第一用途，不是扩产，而是可靠性测试能力建设。
华辰芯光 GaAs 核心产品已通过严格的内部测试，在两个维度上形成差异化竞争力：
长期垄断高端泵浦激光芯片市场，定价权强，是光网络放大器成本的大头。
光电性能与可靠性对标同级，制造成本约 50%——从底层制造壁垒突破，而非简单封装替代。
关键在于，这是全栈技术能力的突破。华辰芯光从成立之初就确立了双轮驱动战略，不走轻资产的 Fabless 老路：
目前华辰芯光已是全球极少数能够量产通信用泵浦激光芯片的企业之一。
本篇报道来源于企业融资通稿，性能与成本数据均为单方披露，未见第三方独立测试或客户侧复测验证。阅读时应注意区分「内部测试通过」与「客户量产验证」之间的距离——后者往往需要更长的爬坡周期。
支线信息：华辰芯光同时披露了面向 CPO（共封装光学）的下一代 InP CW 激光芯片研发计划，这是 AI 算力网络演进中更前沿的赛道，但离量产更远，目前仍属早期储备。
核心产品计划于 2026 年下半年进入量产阶段并向全球销售，面向 CPO 的下一代 InP CW 激光芯片正在研发中。
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